vkontakte facebook twitter youtube rss instagram



«Швабе» запатентовал полупроводниковый излучатель для лазерной техники

«Швабе» запатентовал полупроводниковый излучатель для лазерной техники

Предприятие Холдинга «Швабе» получило патент на полупроводниковый излучатель. Данное изделие на 10% превосходит существующие аналоги по выходным мощностным характеристикам и на 30% - по ресурсу работы.

Устройство, разработанное специалистами предприятия Холдинга «Швабе» - Научно-исследовательского института «Полюс» (НИИ «Полюс»), относится к области полупроводниковой квантовой электроники и применяется при изготовлении различной лазерной техники. Особенностями новинки НИИ «Полюс» является то, что все части пассивной секции полупроводникового излучателя имеют изоляционное покрытие, а каждая диодная линейка изделия является лазерной или суперлюминесцентной.

«Изменение конструкции устройства позволило нам при неизменности пространственных показателей излучения увеличить на 10 % выходные мощностные характеристики и на 30 % ресурс работы по сравнению с существующими аналогами. Помимо этого нам удалось повысить электростабильность и надежность работы изделия», - рассказал генеральный директор Научно-исследовательского института «Полюс» Евгений Кузнецов.

Запуск нового полупроводникового излучателя НИИ «Полюс» в серийное производство запланирован в 2018 году.

НИИ «Полюс» является крупнейшим в России научно-производственным центром в области квантовой электроники и лазерной технологии, обладающим многими уникальными базовыми технологиями, в том числе выращиванием высокотемпературных активных и нелинейных лазерных кристаллов; формированием многослойных (до 1000 квантово-размерных слоев) структур соединений А3В5 для полупроводниковых гетеролазеров и фотоприемников методом газофазной эпитаксии с использованием металлоорганических соединений и гидридов; формированием многослойных диэлектрических покрытий методом ионно-лучевого испарения.